晶升股份:南京晶升装备股份有限公司2024年年度报告摘要

公司代码：688478 公司简称：晶升股份
南京晶升装备股份有限公司
2024 年年度报告摘要

第一节 重要提示
1、 本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到 www.sse.com.cn 网站仔细阅读年度报告全文。
2、 重大风险提示
公司已在本报告中描述可能存在的风险，敬请查阅“第三节 管理层讨论与分析”之“四、风
险因素”部分，请投资者注意投资风险。
3、 本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。
4、 公司全体董事出席董事会会议。
5、 容诚会计师事务所（特殊普通合伙）为本公司出具了标准无保留意见的审计报告。
6、 公司上市时未盈利且尚未实现盈利
□是 √否
7、 董事会决议通过的本报告期利润分配预案或公积金转增股本预案
公司第二届董事会第十一次会议、第二届监事会第十次会议审议通过了《关于2024年年度利润分配预案的议案》，公司2024年度拟以实施权益分派股权登记日登记的总股本（扣除回购专用证券账户的股份数）为基数分配利润。本次利润分配方案如下：
公司拟向全体股东每10股派发现金红利人民币2.50元（含税）。截至本报告披露日，公司总股本138,366,096股，扣除回购专用证券账户的股份数1,306,117股后的股本数为137,059,979股，以此计算合计拟派发现金红利人民币34,264,994.75元（含税）。不送红股，不进行资本公积转增股本。
如在分配方案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间因新增股份上市、股份回购等事项导致公司总股本发生变化的，则以未来实施分配方案的股权登记日的总股本扣减回购专用证券账户中股份数为基数，按照每股分配比例不变的原则对分配总额进行调整，并将另行公告具体调整情况。
本次利润分配预案尚需提交公司股东大会审议通过后方可实施。
8、 是否存在公司治理特殊安排等重要事项
□适用 √不适用
第二节 公司基本情况
1、 公司简介
1.1 公司股票简况
√适用 □不适用
公司股票简况
股票种类 股票上市交易所 股票简称 股票代码 变更前股票简称
及板块
A股 上海证券交易所 晶升股份 688478 不适用
科创板
1.2 公司存托凭证简况
□适用 √不适用
1.3 联系人和联系方式
董事会秘书 证券事务代表
姓名 吴春生 王薇
联系地址 南京经济技术开发区综辉路49号 南京经济技术开发区综辉路49号
电话 025-87137168 025-87137168
传真 025-87131200 025-87131200
电子信箱 cgee@cgee.com.cn cgee@cgee.com.cn
2、 报告期公司主要业务简介
2.1 主要业务、主要产品或服务情况
1. 公司的主营业务
公司是一家半导体专用设备供应商，主要从事晶体生长设备的研发、生产和销售。自成立以来，公司基于高温高真空晶体生长设备的技术同源性，结合“晶体生长设备—工艺技术—晶体材料”产业链上下游技术协同优化的能力，致力于新产品、新技术及新工艺的研究与开发，并聚焦于半导体领域，向半导体材料厂商及其他材料客户提供半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉和其他设备等定制化产品。
公司凭借多应用领域产品技术开发经验，已在晶体生长设备领域形成丰富产品序列，可满足客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求，逐步发展成为国内具有较强竞争力的半导体级晶
体生长设备供应商。依靠优质的产品及服务质量，公司得到了众多主流半导体厂商的认可，陆续开拓了上海新昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、东尼电子、合晶科技、比亚迪等客户，已取得良好的市场口碑，确立了公司在半导体级晶体生长设备领域的市场地位。
2. 公司的主要产品
根据客户在晶体技术指标、产品类型及工艺路线、设备配置及技术规格参数等不同的定制化工艺方案，公司主要为半导体材料厂商及其他材料客户提供定制化晶体生长设备，以满足不同客户差异化、定制化的晶体生长制造工艺需求。经过多年持续的研发投入和技术工艺积累，公司开发了包括半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉及其他设备等主要产品，具体情况如下：
（1）半导体级单晶硅炉
公司生产的半导体级单晶硅炉主要应用于 8-12 英寸半导体硅片制造，设备结构设计具有高稳
定性、高可靠性等特点，通过配备自主研发晶体生长控制、热场系统，能够满足不同技术规格半导体级硅片的生长及制造要求。
根据不同客户关于产品技术规格及晶体生长工艺的需要，公司开发了与产品相配套的标准化工艺方案，可为客户提供热场开发、长晶控制系统策略、视觉识别系统、磁力强度及分布设计、氧化物过滤系统等主要构成要素的定制化“晶体生长设备+工艺方案”，从而更好地满足不同客户的差异化应用需求。
产品主要系列 产品特点 应用领域 产品图例
/型号
8 英寸半导体级单晶硅炉
设备具有高稳定性、高可靠
性的结构设计，配备了自主
研发的晶体生长控制系统，
SCG200 系列 配合低能耗、高清洁度热场 8 英寸硅片制造
系统及超导磁场，可实现全
自动长晶，生长晶体可满足
半导体级 8 英寸轻掺硅片指
标要求。
12 英寸半导体级单晶硅炉

产品主要系列 产品特点 应用领域 产品图例
/型号
设备具有高稳定性、高真空
度、高可靠性的结构设计，
配备自主研发的功率控制、
锁拉速等生长控制算法，热
SCG300 系列 场系统具有高水平微缺陷控 12 英寸硅片制造
制能力，配合水冷套、超导
磁场及工艺包，生长晶体可
满足 COP-FREE 硅片指标要
求。
设备具有大尺寸、高抽速的
真空设计，配备先进的液面
距测量、宽幅炉压精确控制、 12 英寸重掺硅片及
SCG400 系列 氧化物处理等系统，生长晶 12-18 英寸半导体硅
体可满足 12 英寸重掺硅片、 耗材制造
12-18 英寸硅单晶耗材指标
的要求。
公司半导体级单晶硅炉完整覆盖主流 12 英寸、8 英寸轻掺、重掺硅片制备，生长晶体制备硅
片可实现 19nm 存储芯片、28nm 以上通用处理器芯片、CIS/BSI 图像传感器芯片，以及 90nm 以上
指纹识别、电源管理、信号管理、液晶驱动芯片等半导体器件制造，28nm 以上制程工艺已实现批量化生产。
产品主要系列/型号 规格 半导体器件应用领域 可应用制程工艺
SCG200MCZ 单晶炉 8 英寸 指纹识别、电源管理、信号管理、液 90nm 以上
晶驱动（面板驱动）芯片
SCG300MCZ 系列 12 英寸 CIS/BSI 图像传感器芯片、通用处理器 19nm 以上
芯片、存储芯片
SCG400MCZ 单晶炉 12 英寸 功率器件 65nm-90nm
（2）碳化硅单晶炉
公司生产的碳化硅单晶炉主要应用于 6-8 英寸碳化硅单晶衬底，具有结构设计模块化、占地
小、高精度控温控压、生产工艺可复制性强、高稳定性运行等特点。
公司碳化硅单晶炉需满足客户在特定工艺技术路线下关于控温精度、控压精度、工艺气体流量精度、极限真空、压升率的指标参数要求，保证设备长晶产出的一致性和稳定性，满足客户特定压力及温度控制策略的应用需要，匹配客户晶体生长工艺/技术路线要求。针对不同客户对于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的差异化适配性需求，产品具有定制化特点。公司可根据不
同客户关于设备指标参数、晶体生长工艺/技术路线的需要，实现腔室结构、加热方式、生长过程监控、控制方式等主要产品构成要素的定制化方案，可满足不同下游客户差异化应用需求。公司碳化硅单晶炉结构的模块化设计，便于备货，根据不同客户的不同需求，便于切换设备功能部件，大大缩短供货周期。
产品主要系列 产品特点 应用领域 产品图例
/型号
设备采用模块化架构设计，
兼容主动水冷与气体对流双
模式石英腔室冷却系统。采
用全金属 VCR 密封结构，实
JSSD 系列 现超高真空保持性。创新性
感应加热 PVT 应用旋转液压驱动层流冷却
碳化硅单晶炉 技术，使石英腔室壁面周向
更为均匀。配置的 PID 智能
温控系统（精度±0.5℃
@2000℃）和压力闭环调节模
块（波动±0.2%），显著提
升晶体生长良率。
设备集成高频电磁屏蔽结构
设计，采用真空腔体参数定
点标定与温度二次补偿校准
SCET420 系列 技术，配置独立装料模块， 主要用于生产 6-8 英
感应加热 PVT 基于二次定位技术的感应线 寸碳化硅单晶衬底
碳化硅单晶炉 圈装配工艺，有效抑