彤程新材(603650):ArF光刻胶取得核心突破,G5等级EBR加速认证-事件点评

事件:11月5日,公司发布关于光刻胶项目进展情况的公告,公司已经完成ArF光刻胶部分型号的开发,已具备量产能力。同时,上海化学工业区项目工程阶段已竣工,目前已逐步进入试生产阶段。

   A胶取得核心突破。K胶品种持续扩充。在ArF光刻胶产品方面,公司已经完成ArF光刻胶部分型号的开发,首批ArF光刻胶的各项出货指标能对标国际光刻胶大厂产品,已具备量产能力,目前处于量产前的光刻工艺测试及产品验证阶段。K胶以及I胶方面,公司I线光刻胶已广泛应用于国内6寸、8寸、12寸集成电路产线,支持的工艺制程涵盖14nm及以上工艺。KrF光刻胶量产品种达20种以上,稳定供应国内头部芯片制造商。

   上海化学工业区项目竣工,进入试生产阶段。公司上海化学工业区工厂设计能力年产1千吨半导体光刻胶、1万吨显示用光刻胶和2万吨高纯EBR试剂(光刻胶去边剂),在国际国内半导体厂商及光刻胶厂商战略合作推动下,完成了产线优化及品控升级,该项目工程阶段已竣工,目前已逐步进入试生产阶段。其中1千吨半导体光刻胶量产产线,主要包括年产300/400吨ArF及KrF光刻胶量产产线,通过采用超高纯PFA(涂层)设备、引入高精度物料流量控制系统、配以自研的高精度高效率光刻过滤系统,可以实现ppt级金属杂质及0.1um级别的颗粒管控,具备不同配方先进制程光刻胶的生产能力。

   G5等级EBR即将突破,完善材料平台型布局。为了解决ArF光刻胶所需的高纯溶剂及国内先进工艺制程的需求,公司已经搭建完成高纯EBR装置,成为国内首家建有高纯EBR精馏塔设备及掌握高纯精馏技术的本土溶剂供应商。公司生产的EBR溶剂已达到G4等级规格,可满足国内40纳米以下工艺制程的芯片制造技术需求,年产2万吨的规模量产能力可有效满足国内先进制程需求。预计第四季度将完成高纯度G5等级EBR的验证,已在国内几家先进芯片制造商中逐步推动产品验证。

   投资建议:我们考虑到公司在特种橡胶助剂领域的龙头地位,预计23/24/25年公司实现归母净利润4.55/5.53/6.67亿元,对应当前的股价PE分别为49/40/33倍,维持"推荐"评级。

   风险提示:客户认证风险;下游需求不及预期;市场竞争加剧。